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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA672T
N-CHANNEL MOS FET ARRAY
FOR SWITCHING
The μ PA672T is a super-mini-mold device provided
with two MOS FET elements. It achieves high-density
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0.2 –0
0.15 –0.05
mounting and saves mounting costs.
FEATURES
+0.1
+0.1
? Two MOS FET circuits in package the same size as
SC-70
? Automatic mounting supported
6
1
0.65
5
2
0.65
1.3
4
3
0.7
0.9 ±0.1
0 to 0.1
2.0 ±0.2
PIN CONNECTION
6
5
4
1. Source 1 (S1)
2. Gate 1
(G1)
3. Drain 2
(D2)
4. Source 2 (S2)
5. Gate 2
(G2)
6. Drain 1
(D1)
1
2
3
Marking: MA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ?C)
PARAMETER
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V DSS
V GSS
I D(DC)
I D(pulse)
P T
T ch
T stg
TEST CONDITIONS
PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 %
RATINGS
50
± 7.0
100
200
200 (Total)
150
–55 to +150
UNIT
V
V
mA
mA
mW
?C
?C
Document No. G11259EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
?
1996
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